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SQD50N06-09L_GE3-HXY

1个N沟道耐压:60V 电流:80A

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描述: SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，封装采用紧凑型TO-252-2L，旨在优化电路板空间利用。该器件具有强劲的工作电压60V(VDSS)，可持续提供高达80A的漏极电流(ID)，同时以极低的导通电阻6.5mΩ(RD(on))表现出色，从而有效减少能量损失，提升整体电能转化效率。SQD50N06-09L_GE3 适用于开关电源、马达驱动控制等多个领域，是构建高效率、低功耗电子系统的可靠之选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQD50N06-09L_GE3-HXY
商品编号: C22366672
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

Si2347DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。