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SUD50N06-09L-E3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- SUD50N06-09L-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封装，专为高效率、大电流应用场景设计。该器件工作电压高达60V(VDSS)，具备强大的电流处理能力，可承载连续漏极电流80A(ID)，并且在导通状态下的电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，极大程度地减少了功率损耗，提升了整体能源转换效率。SUD50N06-09L-E3 适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等众多领域，是构建节能高效电子系统的优质半导体元件。
- 商品型号
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- 商品编号
- C22366674
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
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