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IRFR1018EPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 此场效应管为N型。电流达80A，可承载较大电流负荷。电压为60V，适应多种电压环境。内阻典型值6.5mR，较低内阻能提升效率。VGS为20V。适用于各类电子产品，在大功率电源管理和信号处理等方面发挥可靠作用。
- 商品型号
- IRFR1018EPBF-HXY
- 商品编号
- C22366669
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMTH6009LK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.3 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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