温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRFR1018E-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。
- 商品型号
- AUIRFR1018E-HXY
- 商品编号
- C22366667
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
相似推荐
其他推荐
- DMTH6010LK3-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- IRLR3636PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- DMTH6009LK3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- NTD5C668NL-HXY
- DMP3028LK3-HXY
- STD26P3LLH6-HXY
- DMN2065UW-HXY
- MCH3479-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- BSS214NWH6327-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- Si2312BDS-T1-GE3-HXY