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AO6802-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- AO6802 是一款N+N沟道增强型MOS管，采用紧凑型SOT-23-6L封装，专为现代小型化电子设备设计。该器件支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并能提供4.5A的连续漏极电流(ID)，具有出色的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，确保在高电流应用中实现低功耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关、信号线路控制等领域，是您实现高效率、小型化电路设计的理想选择。
- 商品型号
- AO6802-HXY
- 商品编号
- C22366664
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CSD16325Q5采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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