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IRLR3705ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为高功率电子设备设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS)，并能承载最大80A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流承载能力。其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRLR3705ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366666
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMG3401LSN采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V，ID = - 6A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 35mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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