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IRLR3705ZPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLR3705ZPBF-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
IRLR3705ZPbF 是一款N沟道MOSFET,采用标准TO-252-2L封装,专为高功率电子设备设计。器件支持高达60V的漏源电压(VDSS),并能承载最大80A的连续漏极电流(ID),展现出卓越的电流承载能力。其亮点在于仅6.5mΩ的低导通电阻(RD(on)),确保在大电流工作时仍能保持高效率和低发热。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是构建高性能、节能电路的理想半导体组件。
商品型号
IRLR3705ZPBF-HXY
商品编号
C22366666
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)33nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.68nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)260pF

数据手册PDF