Si3932DV-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
Si3932DV 是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用小巧的SOT-23-6L封装,专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作,提供4.5A的连续漏极电流(ID),并拥有低至29mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在高电流应用中实现高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换等电路设计中,是实现小型化、节能方案的理想半导体组件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
Si3932DV-HXY商品编号
C22366665商品封装
SOT-23-6L包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,4A | |
功率(Pd) | 1.25W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 233pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 33pF@15V | |
配置 | - |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+¥0.387855¥0.4563
50+¥0.378845¥0.4457
150+¥0.37281¥0.4386
500+¥0.36669¥0.4314¥1294.2
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
140
SMT仓
0
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 5 个 )
个
起订量:5 个3000个/圆盘
近期成交2单
精选推荐