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Si3932DV-HXY

环保标识
  • 2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    Si3932DV 是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用小巧的SOT-23-6L封装,专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作,提供4.5A的连续漏极电流(ID),并拥有低至29mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在高电流应用中实现高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换等电路设计中,是实现小型化、节能方案的理想半导体组件。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    Si3932DV-HXY
  • 商品编号

    C22366665
  • 商品封装

    SOT-23-6L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.03克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@10V,4A
功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)233pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)33pF@15V
配置-

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