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SI7880ADP-T1-E3-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:150A

描述: SI7880ADP-T1-E3 是一款N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，特别适用于现代电子设备的小型化设计要求。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能处理高达150A的连续漏极电流(ID)，显示其卓越的电流承载性能。其关键特性为仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，极大地提升了能效比，降低了功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场合，是您构建高效节能电路的理想半导体部件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7880ADP-T1-E3-HXY
商品编号: C22366655
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143333克(g)

商品参数

SI7880ADP-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。