SISA96DN-T1-GE3-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A

描述

SISA96DN-T1-GE3 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供50A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率损耗，提升了电路效率，广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景，是您实现高效节能设计的理想半导体元件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA96DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C22366660

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.058克(g)