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SISA96DN-T1-GE3-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:50A

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描述: SISA96DN-T1-GE3 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供50A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率损耗，提升了电路效率，广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景，是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SISA96DN-T1-GE3-HXY
商品编号: C22366660
商品封装: DFN3x3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.058克(g)

商品参数

SISA96DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。