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DMG3401LSN-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其最大电流承载能力为6A，最高工作电压可达30V，内阻典型值为28mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，使得产品在特定栅源电压下能够发挥最佳性能。适用于电源管理、信号放大及开关电路等多样场景。
- 商品型号
- DMG3401LSN-HXY
- 商品编号
- C22366662
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
SI7336ADP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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