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FDD3706-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:40A
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- 描述
- FDD3706 是一款N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，适合多种电子应用。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS)，并能提供高达40A的连续漏极电流(ID)，展现优良的电流承载能力。其导通电阻(RD(on))仅为7.5mΩ，有效减小功耗，提升系统能效，特别适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效低阻抗的电路设计。该MOS管凭借高性能与通用性成为工程师们的理想选择。
- 商品型号
- FDD3706-HXY
- 商品编号
- C22366661
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
FDD3706采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 40 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9 mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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