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FDD3706-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD3706-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:40A

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描述
FDD3706 是一款N沟道MOS管,采用经典TO-252-2L封装,适合多种电子应用。器件支持20V的最大漏源电压(VDSS),并能提供高达40A的连续漏极电流(ID),展现优良的电流承载能力。其导通电阻(RD(on))仅为7.5mΩ,有效减小功耗,提升系统能效,特别适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效低阻抗的电路设计。该MOS管凭借高性能与通用性成为工程师们的理想选择。
商品型号
FDD3706-HXY
商品编号
C22366661
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3825克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)15.6W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF

数据手册PDF