CSD16325Q5-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

描述

CSD16325Q5 是一款N沟道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，展现卓越的电流处理能力。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功耗并提升电路效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场景，是实现高效能电路设计的理想半导体组件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSD16325Q5-HXY

商品编号

C22366658

商品封装

DFN5X6-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.143333克(g)