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SI7336ADP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- SI7336ADP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装，适应现代电子产品的小型化设计需求。该器件在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行，可处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强大的电流承载能力。其独特优势在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功率损耗，提高系统能效，广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源系统等高功率场合，是您实现高效、节能电路设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366654
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
SI7336ADP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 150A
- RDS(ON) < 2.4mΩ（VGS = 10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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