FDMS7670AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- FDMS7670AS 是一款高性能N沟道MOS管,采用紧凑型DFN5X6-8L封装,适于现代化电子设备的空间优化需求。该器件支持30V的最大漏源电压(VDSS),并能稳定处理高达150A的连续漏极电流,展现卓越的电流承载能力。其导通电阻仅为2mΩ,有效降低了功率损耗,提升了电路的整体效率,广泛适用于电源转换、电机驱动、高频开关等领域,是实现高效能、节能设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDMS7670AS-HXY
- 商品编号
- C22366648
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
AON6324采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 150 A
- 导通电阻RDS(ON) < 2.4 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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