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FDMS7670AS-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS7670AS-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

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描述
FDMS7670AS 是一款高性能N沟道MOS管,采用紧凑型DFN5X6-8L封装,适于现代化电子设备的空间优化需求。该器件支持30V的最大漏源电压(VDSS),并能稳定处理高达150A的连续漏极电流,展现卓越的电流承载能力。其导通电阻仅为2mΩ,有效降低了功率损耗,提升了电路的整体效率,广泛适用于电源转换、电机驱动、高频开关等领域,是实现高效能、节能设计的理想半导体元件。
商品型号
FDMS7670AS-HXY
商品编号
C22366648
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.143333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56.9nC@10V
输入电容(Ciss)4.345nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)340pF

商品概述

AON6324采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30 V
  • 漏极电流ID = 150 A
  • 导通电阻RDS(ON) < 2.4 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF