AON6508-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:150A

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描述: AON6508 N沟道MOS管选用先进的DFN5X6-8L封装，兼顾小巧体积与高效性能。其额定电压VDSS为30V，最大连续漏极电流高达150A，轻松应对高电压大电流应用场景。尤为突出的是，器件导通电阻仅为2mΩ，确保在高负载条件下仍能维持低功耗和高效能运作。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您优化电路设计、提升系统效能的理想半导体组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6508-HXY
商品编号: C22366646
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143333克(g)

商品参数