温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFH5302PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- 描述
- IRFH5302PbF N沟道MOS管采用节省空间的DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的小型化设计需求。该器件拥有30V的最大漏源电压和高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流条件下稳定运作。其出色的导通电阻低至2mΩ，大大减少了功率损耗，提高了系统能效比。广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是构建高效能电路的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRFH5302PBF-HXY
- 商品编号
- C22366639
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
- IRFH8311PBF-HXY
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- SIR158DP-T1-GE3-HXY
- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- IRFH8311PBF-HXY
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- SIR158DP-T1-GE3-HXY
- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY