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IRFH5302PBF-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:150A

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描述: IRFH5302PbF N沟道MOS管采用节省空间的DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的小型化设计需求。该器件拥有30V的最大漏源电压和高达150A的连续漏极电流，确保在高电压大电流条件下稳定运作。其出色的导通电阻低至2mΩ，大大减少了功率损耗，提高了系统能效比。广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是构建高效能电路的理想半导体组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFH5302PBF-HXY
商品编号: C22366639
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143333克(g)

商品参数

AON6358采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。