温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6324-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AON6324 N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，具备精巧体积和强大性能。该器件能在30V的最大漏源电压下稳定工作，支持高达150A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。其亮点在于仅2mΩ的导通电阻，有助于减少能量损失，提高电路工作效率。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景，是您追求高效能半导体解决方案的理想之选。
- 商品型号
- AON6324-HXY
- 商品编号
- C22366644
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- SIR158DP-T1-GE3-HXY
- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- SIR158DP-T1-GE3-HXY
- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- DMN2075U-HXY
- Si2312BDS-T1-E3-HXY