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AON6324-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:150A

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描述: AON6324 N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装，具备精巧体积和强大性能。该器件能在30V的最大漏源电压下稳定工作，支持高达150A的连续漏极电流，满足高功率应用需求。其亮点在于仅2mΩ的导通电阻，有助于减少能量损失，提高电路工作效率。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景，是您追求高效能半导体解决方案的理想之选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6324-HXY
商品编号: C22366644
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143333克(g)

商品参数

IRFH8311PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。