ISC026N03L5S-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- 描述
- ISC026N03L5S N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装,旨在优化空间限制且高性能的应用场景。器件支持高达30V的漏源电压,并能处理连续150A的漏极电流,展现卓越的电流传送能力。其引人注目的特性包括仅2mΩ的导通电阻,确保在高电流操作时仍保持低功耗和高效率。此MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动和其他高功率需求的电路设计,是提升系统性能的关键组件。
- 商品型号
- ISC026N03L5S-HXY
- 商品编号
- C22366641
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
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- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
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- BSS816NWH6327XTSA1-HXY



