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ISC026N03L5S-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- ISC026N03L5S N沟道MOS管采用紧凑型DFN5X6-8L封装，旨在优化空间限制且高性能的应用场景。器件支持高达30V的漏源电压，并能处理连续150A的漏极电流，展现卓越的电流传送能力。其引人注目的特性包括仅2mΩ的导通电阻，确保在高电流操作时仍保持低功耗和高效率。此MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动和其他高功率需求的电路设计，是提升系统性能的关键组件。
- 商品型号
- ISC026N03L5S-HXY
- 商品编号
- C22366641
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
NTD6416ANLT4G采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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