NTMFS4C024N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- 描述
- 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mR,确保了高效率和低损耗。其VGS为20V,适用于多种应用需求。该元器件设计精良,可靠性高,是电源管理、电机驱动等电子系统的理想选择。
- 商品型号
- NTMFS4C024N-HXY
- 商品编号
- C22366642
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
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- IRLR3705ZPBF-HXY
- IRFR1018EPBF-HXY
- IRFR7546PBF-HXY
- SQD50N06-09L_GE3-HXY
- SUD50N06-09L-E3-HXY
- PMF63UNE-HXY
- DMN2053UW-HXY
- BSS214NW-HXY
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
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- BSS816NWH6327XTSA1-HXY



