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IRFH8311PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- IRFH8311PbF N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，针对现代电子设备的小型化趋势设计。该器件具有30V的最大漏源电压，能承载高达150A的连续漏极电流，确保在重载条件下也能稳定工作。其导通电阻仅为2mΩ，实现了低功耗和高效能转换，特别适用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统等领域的高效能电路设计，是提升系统性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRFH8311PBF-HXY
- 商品编号
- C22366640
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
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