温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
AON6358-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
AON6358 N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装形式，小巧且功能强大。该器件具有30V的最大稳态漏源电压，可支持高达150A的连续漏极电流，充分保证了在高电压大电流条件下的可靠运行。更值得一提的是，其导通电阻仅为2mΩ，有效降低了能耗，提升了电路的工作效率。此款MOS管非常适合用于电源转换、电机驱动及其它高端电力电子应用，是您优化系统设计的理想之选。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AON6358-HXY商品编号
C22366637商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥1.183
50+￥1.1553
150+￥1.1369
优惠活动
- 采购晶：最高送500
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
70
SMT仓
0
购买数量(5000个/圆盘，最小起订量 5 个 )
个
起订量：5 个5000个/圆盘
近期成交5单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
