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AON6358-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- 描述
- AON6358 N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装形式，小巧且功能强大。该器件具有30V的最大稳态漏源电压，可支持高达150A的连续漏极电流，充分保证了在高电压大电流条件下的可靠运行。更值得一提的是，其导通电阻仅为2mΩ，有效降低了能耗，提升了电路的工作效率。此款MOS管非常适合用于电源转换、电机驱动及其它高端电力电子应用，是您优化系统设计的理想之选。
- 商品型号
- AON6358-HXY
- 商品编号
- C22366637
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
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