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BSC018NE2LSI-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- BSC018NE2LSI N沟道MOS管以业界领先的DFN5X6-8L封装呈现，专为紧凑高效设计。该器件具有30V的击穿电压，提供高达150A的持续漏极电流，充分满足大电流应用需求。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻，显著减少功率损耗并提高整体效能，广泛适用于电源管理、马达驱动等对效率及稳定性有高要求的领域，是您的电路优化升级之优选元件。
- 商品型号
- BSC018NE2LSI-HXY
- 商品编号
- C22366635
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
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