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ISC019N03L5S-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
- 描述
- ISC019N03L5S 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备优良的散热性能与高集成度，特别适合现代电子设备的小型化需求。该器件额定电压VDSS为30V，支持高达150A的连续电流ID，凭借其2mR的超低导通电阻，显著提升了能源转换效率和系统性能。
- 商品型号
- ISC019N03L5S-HXY
- 商品编号
- C22366633
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
- NTMFS4C054N-HXY
- BSC018NE2LSI-HXY
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- FDMS0308AS-HXY
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