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NTMFS4C054N-HXY实物图
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NTMFS4C054N-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

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描述
这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,耐压能力达到30V,内阻典型值仅为2mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于要求高电流承载能力和低内阻的应用场景,如电源管理、LED驱动及高性能电子设备,确保系统稳定运行,提升整体效率。
商品型号
NTMFS4C054N-HXY
商品编号
C22366634
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.145833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2mΩ@10V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)56.9nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)4.345nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)340pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF