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CSD16321Q5-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- CSD16321Q5 N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术，体积精巧，性能强大。此器件承载电压高达30V，最大连续漏极电流可达150A，确保在高压大电流环境下稳定运行。其优异的导通电阻仅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系统效能，特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。
- 商品型号
- CSD16321Q5-HXY
- 商品编号
- C22366636
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
MDU1532S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 90 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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