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IRFH5302DPBF-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFH5302DPBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

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描述
这款N型场效应管拥有出色的性能参数：最大承受电流高达150A，额定电压为30V，内阻典型值仅为2mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于高电流、高效率的电源管理，如数据中心、通信基站等关键设备。其低内阻特性有助于减少能量损耗，提升整体能效。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRFH5302DPBF-HXY
商品编号
C22366632
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.144167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56.9nC@10V
输入电容(Ciss)4.345nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)340pF

数据手册PDF

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