温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRLR3410-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N型场效应管具有20A的电流承载能力和100V的电压耐受性，内阻典型值为80mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制特性。该产品适用于电源管理、负载开关应用及高效能电子设备，确保系统稳定运行，提升能效比。
- 商品型号
- AUIRLR3410-HXY
- 商品编号
- C22366628
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AUIRLR3410采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 20A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- IRFR3910PBF-HXY
- IRLR3410PBF-HXY
- NTD6416ANLT4G-HXY
- IRFH5302DPBF-HXY
- ISC019N03L5S-HXY
- NTMFS4C054N-HXY
- BSC018NE2LSI-HXY
- CSD16321Q5-HXY
- AON6358-HXY
- FDMS0308AS-HXY
- IRFH5302PBF-HXY
- IRFH8311PBF-HXY
- ISC026N03L5S-HXY
- NTMFS4C024N-HXY
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6382-HXY
- AON6508-HXY
- BSC0901NS-HXY
- FDMS7670AS-HXY
- IRFH5301PBF-HXY
- IRFR3910PBF-HXY
- IRLR3410PBF-HXY
- NTD6416ANLT4G-HXY
- IRFH5302DPBF-HXY
- ISC019N03L5S-HXY
- NTMFS4C054N-HXY
- BSC018NE2LSI-HXY
- CSD16321Q5-HXY
- AON6358-HXY
- FDMS0308AS-HXY
- IRFH5302PBF-HXY
- IRFH8311PBF-HXY
- ISC026N03L5S-HXY
- NTMFS4C024N-HXY
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6382-HXY
- AON6508-HXY
- BSC0901NS-HXY
- FDMS7670AS-HXY
- IRFH5301PBF-HXY