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AUIRLR3410-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AUIRLR3410-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:20A

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描述
这款N型场效应管具有20A的电流承载能力和100V的电压耐受性,内阻典型值为80mΩ,适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V,确保了良好的开关控制特性。该产品适用于电源管理、负载开关应用及高效能电子设备,确保系统稳定运行,提升能效比。
商品型号
AUIRLR3410-HXY
商品编号
C22366628
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

SI7216DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 40 V
  • 漏极电流ID = 20 A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF