温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR3410PBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IRLR3410PbF 型号N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和紧凑体积，适合各种电子设备应用。器件拥有100V的额定电压VDSS，提供高达20A的连续电流ID承载能力，满足高电压、大电流需求。虽然其导通电阻为80mR，但在同类产品中仍具有较高性价比，有助于优化系统效率并降低能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检测，确保在各种工况下稳定可靠运行。
- 商品型号
- IRLR3410PBF-HXY
- 商品编号
- C22366630
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRLR3410PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 100V，漏极电流 = 20A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 87 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐