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IRFH8324PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- IRFH8324PbF 型号N沟道MOS管，采用先进的DFN5X6-8L封装形式，结合了高效散热与小型化特点。器件额定电压VDSS为30V，支持高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其低至3.5mR的导通电阻，有效提升了能源转换效率，减少了系统损耗。广泛应用在快速充电设备、大电流开关电源等领域，出厂前历经严格质量测试，确保在各类苛刻环境中提供稳定、高效的性能输出。
- 商品型号
- IRFH8324PBF-HXY
- 商品编号
- C22366622
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
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