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SI7216DN-T1-E3-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:20A 停产
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- 描述
- SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，尤其适合于空间有限的现代电子设计。器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID，充分展现了强大的电力处理性能。其17mR的超低导通电阻，进一步优化系统效率，减少能耗。该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。
- 商品型号
- SI7216DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366619
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.013nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF |
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