温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7216DN-T1-E3-HXY

2个N沟道耐压:40V 电流:20A 停产

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率N+N沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，尤其适合于空间有限的现代电子设计。器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID，充分展现了强大的电力处理性能。其17mR的超低导通电阻，进一步优化系统效率，减少能耗。该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7216DN-T1-E3-HXY
商品编号: C22366619
商品封装: DFN3x3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0645克(g)

商品参数

AON7410采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。