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SIRA12DP-T1-GE3-HXY
耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- SIRA12DP-T1-GE3 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼顾小型化与高效散热性能，特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR，极大提升了能源转换效率，降低了系统损耗。
- 商品型号
- SIRA12DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366624
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1306克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
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