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MDU1532S-HXY实物图
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MDU1532S-HXY

N沟道 耐压:30V 电流:120A

描述
这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为3.5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电源管理和电子控制应用,能够确保系统的稳定运行和高效能转换。它的低内阻设计确保了高效率和低功耗。
商品型号
MDU1532S-HXY
商品编号
C22366627
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@15V
输入电容(Ciss)2.218nF
反向传输电容(Crss)340pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)480pF

数据手册PDF