MDU1532S-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:120A
- 描述
- 这款N型场效应管拥有出色的性能参数:最大承受电流高达150A,额定电压为30V,内阻典型值仅为3.5mΩ,栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电源管理和电子控制应用,能够确保系统的稳定运行和高效能转换。它的低内阻设计确保了高效率和低功耗。
- 商品型号
- MDU1532S-HXY
- 商品编号
- C22366627
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
- AUIRLR3410-HXY
- IRFR3910PBF-HXY
- IRLR3410PBF-HXY
- NTMFS4C054N-HXY
- BSC018NE2LSI-HXY
- CSD16321Q5-HXY
- FDMS0308AS-HXY
- IRFH8311PBF-HXY
- CSD16403Q5A-HXY
- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
- IRFH7932PBF-HXY
- SI7336ADP-T1-E3-HXY
- SI7336ADP-T1-GE3-HXY
- SIR158DP-T1-GE3-HXY
- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY
- AUIRLR3410-HXY
- IRFR3910PBF-HXY
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- NTMFS4C054N-HXY
- BSC018NE2LSI-HXY
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- IRFH8311PBF-HXY
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- AON6324-HXY
- AON6508-HXY
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- SI7336ADP-T1-E3-HXY
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- SISA96DN-T1-GE3-HXY
- DMG3401LSN-HXY
- Si2347DS-T1-GE3-HXY
- AO6802-HXY
- Si3932DV-HXY
- IRLR3705ZPBF-HXY



