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IRFR1205PBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- IRFR1205PbF N沟道MOS管，采用业界主流TO-252-2L封装形式，拥有良好的散热性能和紧凑体积，适配多种电路设计需求。该器件具有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，确保在高功率环境下稳定工作。其22mR的低导通电阻使得能源转换效率更高，系统损耗更低。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载切换等场景，出厂前经过严格质量检验，保证每一片MOS管的高性能与可靠性。
- 商品型号
- IRFR1205PBF-HXY
- 商品编号
- C22366615
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 20V |
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