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SM3415SRL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- SM3415SRL 型号P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适合在空间受限的电路板上使用。该器件提供20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，特别适用于中低压下的电源开关和负载驱动应用。其导通电阻仅有34mR，旨在增强系统效能，降低功耗。此MOS管在电源管理、逻辑电平转换等方面表现出色，出厂前已通过严格品质测试，确保在各应用场合下发挥稳定可靠性能。
- 商品型号
- SM3415SRL-HXY
- 商品编号
- C22366618
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
NTMFS4937N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 90 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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