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FDN304PZ-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- FDN304PZ 型号P沟道MOS管，采用经济高效的SOT-23-3L封装形式，专为现代电子设备的小型化需求设计。器件拥有20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，适用于多种功率控制应用。其导通电阻低至34mR，有助于提升系统效率，降低能耗。此款MOS管常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换等功能模块，出厂前历经严格品质检验，确保为用户提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- FDN304PZ-HXY
- 商品编号
- C22366617
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
MCP87130采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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