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STN442D-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- STN442D 型号N沟道MOS管采用标准TO-252-2L封装，体积小巧，散热优良，适用于各类空间有限的设计方案。该器件具有60V的额定电压VDSS，最大连续电流ID高达30A，显示其出色的电力传输能力。更值得称赞的是其22mR的低导通电阻，大大提升了能源效率和系统响应速度。广泛应用于电源转换、马达驱动、负载开关等领域，所有产品出厂前均经过严格的质量把关，确保提供持久稳定的高性能表现。
- 商品型号
- STN442D-HXY
- 商品编号
- C22366614
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
FDMC8878采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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