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TPN11003NL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有出色的性能参数：最大承受电流高达30A，额定电压为30V，内阻典型值仅为9mΩ，栅源极电压VGS为20V。适用于高性能的电源管理和电子控制应用，能够确保系统的稳定运行和高效能转换。它的低内阻特性有助于减少能量损耗，提升整体能效。
- 商品型号
- TPN11003NL-HXY
- 商品编号
- C22366608
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TPN11003NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 30 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源