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FDMC7696-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- FDMC7696 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装工艺，专为现代电子设备的小型化和高性能设计。器件支持30V的额定电压VDSS，拥有卓越的30A连续电流ID承载能力，展现强大的功率处理性能。尤为突出的是其9mR超低导通电阻，有效提升能源利用效率，降低系统热损耗。该MOS管广泛应用于电源管理、马达驱动、电池管理系统等高要求领域，出厂前均经过严格的质量检测，确保带给用户出色而稳定的性能体验。
- 商品型号
- FDMC7696-HXY
- 商品编号
- C22366611
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMC7696采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V
- 漏极电流 = 30A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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