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FDMC8878-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- FDMC8878 型号MOS管是一款高集成度N沟道半导体器件，采用节省空间的DFN3X3-8L封装设计，尤其适合于紧凑型电子产品。其核心参数包括30V的额定电压VDSS，以及强大的30A连续电流ID处理能力，彰显卓越的功率控制性能。此外，该器件导通电阻仅为9mR，显著提高了能源效率并降低了系统损耗。广泛应用于电源管理、马达驱动等高功率场景，且每一颗MOS管出厂前均经过严格品质测试，以确保卓越的性能与稳定性。
- 商品型号
- FDMC8878-HXY
- 商品编号
- C22366609
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SM4842PRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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