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STS2DNF30L-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- STS2DNF30L 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备提供高效的功率控制解决方案。主要特性包括最大工作电压VDSS高达30V，具备6A的连续漏极电流能力，确保强大电流处理性能；其25mΩ的低导通电阻RD(on)设计，有效降低功耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
- 商品型号
- STS2DNF30L-HXY
- 商品编号
- C22366596
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
优惠活动
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起订量：5 个3000个/圆盘
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