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FDS6912A-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- FDS6912A 型MOS管是一款高性能的N+N沟道半导体器件，采用SOP-8封装形式，结构紧凑，便于在各种电路板中灵活布局。该器件拥有30V的高额定电压VDSS，以及高达8.5A的连续电流ID能力，表现出强劲的电能处理性能。特别值得一提的是，其优异的导通电阻仅17mR，有助于大幅度降低系统损耗，提升整体工作效率。此款MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动等领域，经严格品质把控，确保每一片都具备出色的稳定性和耐用性。
- 商品型号
- FDS6912A-HXY
- 商品编号
- C22366607
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI4936CDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源