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AO4800-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4800 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大工作电压VDSS，能够处理高达8.5A的连续漏极电流，展现卓越的电流处理能力。其导通电阻RD(on)仅为17mΩ，有效降低功率损耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- AO4800-HXY
- 商品编号
- C22366597
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |