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AO4800-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4800 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大工作电压VDSS，能够处理高达8.5A的连续漏极电流，展现卓越的电流处理能力。其导通电阻RD(on)仅为17mΩ，有效降低功率损耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您构建高效、节能电子设备的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- AO4800-HXY
- 商品编号
- C22366597
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6930B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 6A
- RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON) < 42mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOP-8 (SOIC-8)
- 双N沟道MOSFET