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DMN3024LSD-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此场效应管为N+N型，电流8.5A，可满足一定功率需求。电压30V，适应多种常见电路环境。内阻典型值15mR，较低内阻有助于减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子产品，可在电子设备中实现稳定的电流控制和电压调节。
- 商品型号
- DMN3024LSD-HXY
- 商品编号
- C22366601
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRF9956PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源