NTMD4840NR2G-HXY

2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

描述

NTMD4840NR2G 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。器件特点包括最大工作电压VDSS高达30V，支持8.5A连续漏极电流，保证强大电流承载力；17mΩ的低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您追求高效节能解决方案的理想MOS管组件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMD4840NR2G-HXY

商品编号

C22366602

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.112克(g)