温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMD4840NR2G-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NTMD4840NR2G 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。器件特点包括最大工作电压VDSS高达30V，支持8.5A连续漏极电流，保证强大电流承载力；17mΩ的低导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您追求高效节能解决方案的理想MOS管组件。
- 商品型号
- NTMD4840NR2G-HXY
- 商品编号
- C22366602
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
AO4800采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 8.5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源