嘉立创上市
购物车0
SM4842PRL-HXY实物图
  • SM4842PRL-HXY商品缩略图
  • SM4842PRL-HXY商品缩略图
  • SM4842PRL-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM4842PRL-HXY

2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
SM4842PRL 是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用SOP-8封装技术,专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大工作电压VDSS,可承载8.5A的连续漏极电流,确保强大且稳定的电流输出;17mΩ的低导通电阻RD(on)设计,有效降低了系统功耗,实现了更高的能效比。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您追求高效节能解决方案的理想MOS管组件。
商品型号
SM4842PRL-HXY
商品编号
C22366605
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)572pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

数据手册PDF