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SIS413DN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- SIS413DN-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为节省空间及高密度电路设计。本器件的核心参数优秀额定电压VDSS高达30V，提供稳定的30V电压下操作环境；支持高达55A的连续漏极电流，展现强大的电流处理能力；8mΩ的超低导通电阻RD(on)，确保高效能与低功耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是现代高效能电子产品的理想之选。
- 商品型号
- SIS413DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366586
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056281克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI4346DY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源