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ZXMN3A06DN8-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色，包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等，为电子设备提供稳定可靠的性能支持。
- 商品型号
- ZXMN3A06DN8-HXY
- 商品编号
- C22366590
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
IRF7201采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源