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ZXMN2B14FH-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有3A的电流承载能力和20V的电压耐受性，内阻典型值为45mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。适合用于要求严格的电力转换系统以及其他可靠性至关重要的场景。
- 商品型号
- ZXMN2B14FH-HXY
- 商品编号
- C22366587
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI4936ADY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 6A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源