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DMP3017SFGQ-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高电流应用。其最大承受电流为55A，额定电压高达30V，确保稳定运行。内阻典型值为8mΩ，降低功耗。VGS为20V，控制性能卓越。适用于电源管理、负载开关等领域，提升系统效率与可靠性。选择此款元器件，满足您对高性能电子系统的需求。
- 商品型号
- DMP3017SFGQ-HXY
- 商品编号
- C22366585
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Si4128DY采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源