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FDS6630A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- FDS6630A N沟道MOSFET以其紧凑的SOP-8封装，为您提供高效的空间利用率。该器件拥有强大的性能指标工作电压VDSS高达30V，可承载最大连续漏极电流ID为8.5A，展现出卓越的负载能力。尤为突出的是其低至14mΩ的导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗并提高能源效率。适用于各类电源转换、电机驱动等应用场景，是您构建高性能、节能电子系统的理想之选。
- 商品型号
- FDS6630A-HXY
- 商品编号
- C22366583
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 107.8pF |
商品概述
Si4134DY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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